在英伟达的GTC 2019大会上，三星发布了新的Flashbolt高带宽内存(HBM)，据称是业界首款符合HBM2E规范的内存产品。

获悉，新一代产品将每个针脚的带宽提高33%——从2.4Gbps提高到3.2Gbps;此外，每个芯片的容量也翻了一倍，达到16Gb。据此，1024位总线的Flashbolt封装，可以在8-Hi堆栈配置中提供高达410GB/s的带宽和16GB的容量。

三星的目标是将这些产品用在下一代数据中心、AI/ML(人工智能/机器学习)和图形应用程序上。

目前三星尚未宣布HBM2E产品量产计划，但是Flashbolt未来有望进入下一代7nm GPU。